Тест по физике на тему Электрический ток в металлах и полупроводниках (10 класс)

ВАРИАНТ №1

1.Сопротивление увеличивается при нагревании у 1)ртути, германия, железа; 2) азота, ртути, железа;

3)ртути, железа, цинка; 4)цинка, германия ,азота.

2.При добавлении донорной примеси в кремний его проводимость становится 1)дырочной ,а полупроводник становится полупроводником р-типа; 2) электронной ,а полупроводник становится полупроводником n-типа;

3) электронной ,а полупроводник становится полупроводником р-типа;

4)дырочной ,а полупроводник становится полупроводником n-типа.

3.Валентность фосфора равна 5.Его можно использовать в качестве

1)донорной примеси; 2) акцепторной примеси; 3) полупроводника.

4. Если р-n-переход надо закрыть, следует область n-типа подключить к

1)отрицательному полюсу источника тока; 2) положительному полюсу источника тока.

5. В качестве выпрямителя можно использовать 1)транзистор; 2)светодиод; 3)диод

ВАРИАНТ №2

1.Сопротивление уменьшается при охлаждении у 1) германия, железа; 2)кремния , железа;

3)ртути, цинка; 4)кремния , германия.

2. В полупроводниках n-типа имеется 1) донорная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;

2) донорная примесь, в результате чего проводимость становится электронной ;

3) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;

4) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится электронной.

3.Преимущественно дырочную проводимость полупроводнику обеспечит введение

1) акцепторной примеси с валентностью <4; 2) акцепторной примеси с валентностью >4;

3) донорной примеси с валентностью <4; 4) донорной примеси с валентностью >4; .

4. Если р-n-переход надо открыть, следует область n-типа подключить к

1)положительному полюсу источника тока; 2) отрицательному полюсу источника тока.

5. Односторонней проводимостью обладает 1)транзистор; 2)светодиод; 3)диод

ВАРИАНТ №3

1.Сопротивление увеличивается при охлаждении у 1)ртути, германия; 2) ртути, железа;

3)германия, кремния; 4)кремния ,железа.

2.При добавлении акцепторной примеси в германий его проводимость становится 1)дырочной ,а полупроводник становится полупроводником n-типа; 2) дырочной , а полупроводник становится полупроводником р-типа;

3) электронной ,а полупроводник становится полупроводником р-типа;

4) электронной ,а полупроводник становится полупроводником n-типа.

3.Валентность индия равна 3.Его можно использовать в качестве 1)акцепторной примеси; 2)донорной примеси.;

3) полупроводника.

4. Если р-n-переход надо открыть, следует область р-типа подключить к

1)отрицательному полюсу источника тока; 2) положительному полюсу источника тока.

5. В качестве усилителя можно использовать 1)диод; 2)светодиод; 3)транзистор.

ВАРИАНТ №4

1.Сопротивление уменьшается при нагревании у 1) германия, железа; 2) цинка, железа;

3)кремния , германия; 4)ртути, цинка;

2. В полупроводниках р-типа имеется 1) донорная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;

2) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;

3) донорная примесь, в результате чего проводимость становится электронной ;

4) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится электронной.

3.Преимущественно электронную проводимость полупроводнику обеспечит введение

1) донорной примеси с валентностью >4; 2) акцепторной примеси с валентностью >4;

3) донорной примеси с валентностью <4; 4) акцепторной примеси с валентностью <4.

4. Если р-n-переход надо закрыть, следует область р-типа подключить к

1)положительному полюсу источника тока; 2) отрицательному полюсу источника тока.

5. Устройством с двумя р-n-переходами является 1)светодиод; 2) диод; 3) транзистор